在瀏覽器中進行 XPS 峰擬合:電荷校正、Shirley 背景、自旋軌道雙峰與原子百分比

發布:2026 年 10 月 15 日 · 作者:Scidart Academy · 閱讀時間:約 6 分鐘
用 C–C、C–O 與 O–C=O 組分擬合的 XPS C 1s 光譜,下方為虛線 Shirley 背景,結合能範圍 292 至 282 eV
在 Shirley 背景之上被分解為 C–C、C–O 與 O–C=O 組分的 C 1s 光譜。

簡答:在免費的 MolDraw XPS 檢視器中開啟 VAMAS(.vms)、CasaXPS 文字或 CSV 檔案,或點選 C 1s(聚合物)。點選依 C 1s 設定進行電荷校正,保留 Shirley 背景,然後點選自動配峰或 C 1s 範本,再點選擬合。讀出原子百分比,並匯出 PNG 或包含擬合表的 CSV。你的檔案始終保留在你的裝置上。

在此試用 XPS 檢視器

點選即可在本頁載入即時檢視器,或開啟完整的 XPS 檢視器。你的檔案始終保留在你的裝置上。

為什麼要在瀏覽器中擬合 XPS 資料?

XPS 資料通常以 VAMAS 或文字檔案的形式從公共測試平台發來。要解讀它,你需要校正荷電、扣除背景、擬合組分,並把峰面積換算成組成。專業套裝軟體能很好地完成這些工作,但並不總是手邊就有。檢視器在一個頁面上完成核心步驟,適合初步檢視、教學,或檢查別人發給你的擬合結果。

原理簡介

結合能。X 射線把電子從內層能階激發出來。能譜儀測量它們的動能,BE = hν − KE,功函數由校正處理。Al Kα 的 hν = 1486.6 eV,Mg Kα 為 1253.6 eV。只有來自表面幾奈米內的電子能夠逸出,所以 XPS 探測的是表面。

化學位移。與電負度更大的原子鍵結會使內層能階移向更高的結合能。在 C 1s 中,C–C/C–H 最低,其次是 C–O、C=O 與 O–C=O。

電荷校正。絕緣體會帶電,每個峰都會移動相同的量。常見的做法是把污染碳的 C–C/C–H 峰設為 284.8 eV,這也是檢視器的預設值。有些實驗室使用 285.0 eV。這是一種有已知限制的約定,所以請說明你使用的數值。

Shirley 背景。在出射過程中損失能量的電子會抬高每個峰高結合能一側的訊號。Shirley 背景就是對這個台階的模擬。

自旋軌道雙峰。p、d 與 f 能階會分裂成兩個峰,面積比固定:p 為 1:2,d 為 2:3,f 為 3:4。分裂間距取決於元素,例如在檢視器的表中 Fe 2p 約為 13.6 eV。

原子百分比。用每種元素的峰面積除以其靈敏度因子,再把結果歸一化到 100%。

可以開啟的檔案

  • VAMAS(.vms),ISO 14976 交換格式,支援規則掃描。
  • 帶 K.E. 或 B.E. 欄的 CasaXPS 文字匯出檔案。
  • 包含能量欄與強度欄的 CSV、TXT、DAT 或 TSV。

一次開啟一個檔案。檔案中的每個區域在圖上方都有各自的按鈕。想練習的話,可以下載範例 .vms,其中包含全譜、C 1s 與 O 1s。所有範例都是模擬資料。

逐步擬合一個區域

  1. 點選開啟 XPS 檔案或拖入檔案。也可以點選範例:C 1s(聚合物)、Si 2p(Si / SiO2)、Fe 2p 雙峰、全譜掃描或範例 .vms。
  2. 如果資料是動能,請把能量軸設為動能,並選擇來源(X 射線源)。
  3. 點選依 C 1s 設定,或輸入電荷位移(eV)。參考值預設為 284.8 eV,可以修改。
  4. 選擇一個區域,檢查核心能階(例如 C 1s),並選擇背景。放大後點選擬合視窗 = 目前檢視範圍,或使用整個區域。
  5. 點選自動配峰,或選擇新增峰後點選圖,或點選 C 1s 範本。然後點選擬合。
  6. 在表中編輯標籤、BE、FWHM、%L 或雙峰類型,鎖定數值,或在移動峰模式下拖曳峰。再次點選擬合。
  7. 檢查光譜下方的包絡線與殘差線。然後點選匯出 PNG 或匯出 CSV。

檢視器的功能

背景在你選擇的擬合視窗內使用 Shirley 背景、線性背景或無背景。
峰形高斯–洛倫茲乘積函數 GL(m)。
擬合自動或手動加峰、C 1s 範本、鎖定、所有峰使用相同 FWHM 與同時擬合 %L。報告 RMS 殘差,並在可能時給出約化 χ²。
雙峰p、d 或 f 雙峰,分裂間距來自可編輯的內建表。
指認為每個峰建議一種化學態。
原子百分比由兩個或更多已擬合區域計算,靈敏度因子可以編輯。
全譜列出元素及其譜線、信賴度與粗略的原子百分比。歐傑區域以陰影標出。
匯出光譜的 PNG。CSV 包含資料、背景、各組分、包絡線、擬合表與原子百分比。

課堂與實驗室中的用法

  • 聚合物表面處理:擬合電漿處理前後的 C 1s。C–O、C=O 與 O–C=O 組分增大說明表面發生了氧化。XPS 只能探測表面幾奈米。對於本體聚合物,可以在 TGA 與 DSC 檢視器中求出其熔點與結晶度。
  • 矽表面的自然氧化層:Si 2p 範例中,Si 顯示為窄的雙峰,SiO2 顯示為位於更高結合能處的較寬峰。
  • 未知表面:開啟全譜,檢視存在哪些元素。
  • 組成:擬合範例 .vms 中的 C 1s 與 O 1s,並從原子百分比框中讀出 O/C 比。

技巧與限制

  • 每個組分都要有化學上的理由。多加峰總能降低殘差,但這並不意味著它們真實存在。
  • 金屬通常需要非對稱峰形,而檢視器不支援這種模型。過渡金屬 2p 光譜還可能出現衛星峰與多重分裂,所以簡單的雙峰擬合只是近似。
  • 內建的靈敏度因子是相對於 C 1s = 1 的近似 Al Kα 數值。要得到真實數值,請輸入你儀器庫中的因子。
  • 文獻中的結合能會相差零點幾 eV。請對照參考資料檢查建議的指認。

問題與解答

為什麼我所有的峰都比預期高約 1 eV?

絕緣樣品在電子離開時會帶上電荷,每個峰都會向高結合能方向移動相同的量。點選「依 C 1s 設定」,把 C-C / C-H 峰移到參考能量,或自行輸入位移量。

C 1s 峰應該擬合幾個組分?

只擬合化學上有依據的數目。從樣品中預期存在的化學鍵出發,讓峰寬保持相近;只有當殘差顯示出清晰、可重複、且能用已知化學態解釋的形狀時,才增加一個峰。

為什麼要用 Shirley 背景而不用線性背景?

在出射過程中損失能量的電子會抬高峰在高結合能一側的訊號。Shirley 背景能跟隨這個台階。對於平坦背景上的小峰,直線背景也可以用。

僅憑全譜掃描能得到原子百分比嗎?

只能粗略估算。檢視器會在全譜表中給出粗略的原子百分比。要得到更好的數值,請對每種元素的窄掃描進行擬合,並使用你自己儀器的靈敏度因子。

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